SAMSUNG MZ-V7S1T0BW Samsung SSD 970 EVO Plus, 1TB, M.2 PCIe x4, 3500/3300 MB/s

Dostępność: Dostępny

Czas wysyłki: 1-3 dni

Koszt wysyłki: od 0,00 zł

Numer katalogowy: 3359939

Kod producenta: MZ-V7S1T0BW

Stan magazynowy: 53 szt.

Kod EAN: 8801643628086

Stan produktu: Nowy

Gwarancja: 60

Waga: 0,08 kg

Cena brutto: 576,99 zł / szt.

Cena netto: 469,09 zł

Rata już od: miesięcznie

Ilość:

szt.

Dodaj do koszyka

dodaj do schowka

Zapytaj o produkt Poleć znajomemu Specyfikacja PDF

Opis produktu

Opis
Ten dysk SSD zapewnia przełomową szybkość i wysoką niezawodność. Innowacyjna technologia V-NAND, kontroler Phoenix i technologia Intelligent TurboWrite poprawiają zarówno gry wysokiej jakości jak i edycję grafiki 4K i 3D. Osiągnij nowy poziom niezawodności dysku. Zaawansowany niklowany kontroler i rozpraszacz ciepła firmy Samsung zapewniają doskonałe odprowadzanie ciepła.
Najważniejsze punkty sprzedaży
Dysk SSD rozszerzający możliwości Ten dysk SSD zapewnia przełomową szybkość i wysoką niezawodność. Innowacyjna technologia V-NAND, kontroler Phoenix i technologia Intelligent TurboWrite poprawiają zarówno gry wysokiej jakości jak i edycję grafiki 4K i 3D. Niezrównana niezawodność Osiągnij nowy poziom niezawodności dysku. Zaawansowany niklowany kontroler i rozpraszacz ciepła firmy Samsung zapewniają doskonałe odprowadzanie ciepła.
Produkt:
Nazwa:	SAMSUNG MZ-V7S1T0BW Samsung SSD 970 EVO Plus, 1TB, M.2 PCIe x4, 3500/3300 MB/s
Opis:	Samsung 970 EVO Plus MZ-V7S1T0BW - Napęd stały - zaszyfrowany - 1 TB - wewnętrzny - M.2 2280 - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) - bufor: 1 GB - 256 bitów AES - TCG Opal Encryption
EAN:	8801643628086
Gwarancja producenta:	60 miesięcy w serwisie
Ogólne
Rodzaj urządzenia:	Napęd stały - wewnętrzny
Pojemność:	1 TB
Kodowanie sprzętu:	Tak
Algorytm kodowania:	256 bitów AES
Typ pamięci NAND:	Komórka trzypoziomowa (TLC)
Rodzaj obudowy:	M.2 2280
Interfejs:	PCI Express 3.0 x4 (NVMe)
Wielkość bufora:	1 GB
Cechy:	Wsparcie TRIM, Auto Garbage Collection Algorithm, Dynamic Thermal Guard protection, TurboWrite Technology, V-NAND Technology, NVM Express (NVMe) 1.3, Samsung Phoenix Controller, S.M.A.R.T.
Szerokość:	22.15 mm
Głębokość:	80.15 mm
Wysokość:	2.38 mm
Waga:	8 g
Wydajność
Wytrzymałość SSD:	600 TB
Szybkość wewnętrzna danych:	3500 MBps (odczyt) / 3300 MBps (zapis)
Odczyt losowy 4 KB:	19000 IOPS
Zapis losowy 4KB:	60000 IOPS
Maksymalny zapis losowy 4KB:	550000 IOPS
Maks. odczyt losowy 4KB:	600000 IOPS
Niezawodność
MTBF:	1,500,000 godziny
Rozszerzenie i łączność
Interfejsy:	PCI Express 3.0 x4 (NVMe) - M.2 Card
Kompatybilna Wnęka:	M.2 2280
Zasilanie
Zużycie energii:	6 wat (przeciętna) 9 wat (maksymalnie) 30 mW (maks. czas bezczynności)
Różne
Zgodność z normami:	IEEE 1667
Gwarancja producenta
Obsługa i wsparcie:	Gwarancja ograniczona - 5 lat
Parametry środowiska
Minimalna temperatura pracy:	0 °C
Maksymalna temperatura pracy:	70 °C
Odporność na wstrząsy (podczas pracy):	1500 g @ półokres sinusoidy 0,5 ms

Dane techniczne przekazywane nam są przez firmy trzecie do celów informacyjnych. Nie ponosimy żadnej odpowiedzialności za zawarte w nich ewentualne błędy.

Pozostałe produkty z kategorii